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Monolithischer Überstromschutzschalter basierend auf 4H-SiC-Sperrschicht-FET-Technologie

Der inverse Thyristor

Norman Böttcher

$191.95   $153.86

Paperback

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QTY:

German
Springer Vieweg
14 January 2026
Das vorliegende Buch widmet sich der Konzeptionierung, Realisierung und Charakterisierung eines neuartigen und selbstauslösenden Überstromschutzschalters für 900 V Gleichspannungsanwendungen auf Basis einer 4H-SiC-Sperrschicht-FET-Technologie. Es weist die besondere Eigenschaft auf, als 2-Pol-Leistungshalbleiterbauelement beim Erreichen eines gewissen Auslösestromwertes selbstständig von einem niederohmigen EIN-Zustand in einen sperrenden AUS-Zustand überzugehen und diesen zu halten.
By:  
Imprint:   Springer Vieweg
Country of Publication:   Germany
Dimensions:   Height: 210mm,  Width: 148mm, 
ISBN:   9783658501501
ISBN 10:   3658501502
Pages:   212
Publication Date:  
Audience:   General/trade ,  ELT Advanced
Format:   Paperback
Publisher's Status:   Active

Norman Böttcher forscht als Halbleitertechnologe am Fraunhofer IISB an der Entwicklung neuartiger Halbleiterbauelemente für die Leistungselektronik auf Basis von Halbleitermaterialien mit (ultra-) großer Bandlücke

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